日立能源ABB IGBT模块5SNG 0600R120501

ABB IGBT模块5SNG0600R1205015SNG0600R120501参数：1200V 2*600AVCE = 1200 VIC = 2x 600 A主要用于通用变频器、电源等行业可靠的辅助触点的压配合销超低损耗坚固的壕沟IGBT芯片组NTC热敏电阻用于低热阻性的铜基板行业标准封装ABB IGBT模块5SNG0600R120501ABB IGBT模块5SNG0600R120501ABB IGBT模块5SNG0600R120501　　ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单

日立能源ABB IGBT模块5SNG 0450R170301

供应 ABB IGBT模块—5SNG 0450R170301ABB IGBT模块5SNG0450R1703015SNG 0450R170301LoPak1相腿IGBT模块VCE=1700伏集成电路=2x450安培用于可靠辅助触点的压配销低损耗、平滑切换的SPT++芯片组用于温度检测的NTC热敏电阻低热阻铜基板工业标准封装ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单一IGBT，双/桥臂式IGBT，斩波和双二极管模块。大功率的HiPak IGBT模块具备软开关低损耗和高极限较宽的SOA两大

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 45Y8500

Phase Control Thyristor5STP 45Y8500VDRM=8500 VIT(AV)M=4450 AIT(RMS)=6990 AITSM= 90.0·103AVT0=1.06 VrT=0.168 mPatented free-floating silicon technologyLow on-state and switching lossesDesigned for traction, energy and industrial applicationsOptimum po

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 27Q8500

Phase Control Thyristor5STP 27Q8500VDRM = 8500 VIT(AV)M = 2870 AIT(RMS) = 4510 AITSM = 64.0·103 AVT0 = 1.13 VrT = 0.394 mΩ• Patented free-floating silicon technology• Low on-state and switching losses• Designed for traction, energy and industrial applicat

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 27N8500

Phase Control Thyristor5STP 27N8500VDRM=8500 VIT(AV)M=2660 AIT(RMS)=4180 AITSM= 64.0·103AVT0=1.13 VrT=0.394 m•Patented free-floating silicon technology•Low on-state and switching losses•Designed for traction, energy and industrial applications•Optimum po

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 48Y7200

Phase Control Thyristor5STP 48Y7200VDRM = 7200 VIT(AV)M = 5040 AIT(RMS) = 7910 AITSM = 92.0·103 AVT0 = 0.983 VrT = 0.128 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applica

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 42U6500

Phase Control Thyristor5STP 42U6500VDRM = 6500 VIT(AV)M = 4300 AIT(RMS) = 6750 AITSM = 86.0·103 AVT0 = 1.17 VrT = 0.181 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applicat

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 40x6500

5STP 40x6500Phase Control Thyristor·VDRM = 6500 V·ITM = 3780 A·IT(RMS) = 5930 A·ITSM = 65.0·103 A·VT0 = 1.14 V·rT = 0.259 mΩHigh forward and surge current ratingLow on-state and switching lossesDesigned for industrial, renewable, and traction applications

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 26N6500

Phase Control Thyristor5STP 26N6500VDRM = 6500 VIT(AV)M = 2880 AIT(RMS) = 4520 AITSM = 65.0·103 AVT0 = 1.12 VrT = 0.290 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applicat

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 18M6500

Phase Control Thyristor5STP 18M6500VDRM = 6500 VIT(AV)M = 1830 AIT(RMS) = 2870 AITSM = 47.5·103 AVT0 = 1.21 VrT = 0.431 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applicat

日立能源ABB PCT晶闸管5STP 12K6500

Phase Control Thyristor5STP 12K6500VDRM = 6500 VIT(AV)M = 1430 AIT(RMS) = 2250 AITSM = 31.5·103 AVT0 = 1.15 VrT = 0.647 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applicat

日历能源ABB PCT晶闸管5STP 08G6500

Phase Control Thyristor5STP 08G6500VDRM = 6500 VIT(AV)M = 730 AIT(RMS) = 1150 AITSM = 15.1·103 AVT0 = 1.20 VrT = 1.046 mΩ· Patented free-floating silicon technology· Low on-state and switching losses· Designed for traction, energy and industrial applicati

5SNA 1200G450350日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak IGBT 模块 – 5SNA 1200G450350电压（Vce）： 4500 V电流（Ic）： 1200 A技术特点：SPT 芯片组：* 超低损耗，坚固耐用，提供平滑开关和优异的电磁兼容性 (EMC)。工业标准封装： 设计紧凑，高功率密度，适用于多种工业场景。AISiC 底板： 提供卓越的高功率循环能力，适应苛刻的热负载波动。AIN 基板： 热阻低，散热效率高，确保长

5SNA 1200G450300日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak IGBT 模块 – 5SNA 1200G450300电压（Vce）： 4500 V电流（Ic）： 1200 A技术特点：SPT 芯片组：* 超低损耗设计，坚固耐用，提供平滑开关和优异的电磁兼容性 (EMC)。工业标准封装： 紧凑设计，支持高功率密度应用，适用于多种工业场景。AISiC 底板： 提供高功率循环能力，适应严苛工况和热负载波动。AIN 基板： 热阻低，散热性能

5SNA 0650J450300日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak IGBT 模块 – 5SNA 0650J450300电压（Vce）： 4500 V电流（Ic）： 650 A技术特点：SPT 芯片组：* 提供超低损耗，坚固耐用，平滑开关性能优异，优化电磁兼容性 (EMC)。工业标准封装： 高功率密度设计，紧凑高效，适用于多种工业应用。AISiC 底板： 支持高功率循环能力，适应苛刻工况和热负载波动。AIN 基板： 热阻低，提供卓越散热

5SLG 0600P450300日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak 二极管模块 – 5SLG 0600P450300电压（Vrrm）： 4500 V正向平均电流（IF）： 2 x 600 A技术特点：SPT+ 二极管： 超低损耗设计，坚固耐用，优化电磁兼容性 (EMC)。双二极管设计： 单封装包含两个二极管，紧凑高效，提升功率密度。AISiC 基板： 提供高功率循环能力，适应高频热负载变化。AIN 基底面： 热阻低，散热性能优越，确保系

5SLD1500J450350日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak 二极管模块 – 5SLD 1500J450350电压（Vrrm）： 4500 V电流（Ir）： 2 x 1500 A技术特点：SPT++ 二极管： 提供超低损耗和卓越的坚固性，支持最高额定电流。高绝缘封装： 单封装内包含两个二极管，设计紧凑，适用于高功率应用。AISiC 基板： 提供高功率循环能力，适应频繁的热负载波动。AIN 基底面： 低热阻设计，提升散热效率，保

5SLD1200J450350日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak 二极管模块 – 5SLD 1200J450350电压（Vrrm）： 4500 V电流（Ir）： 2 x 1200 A技术特点：SPT+ 二极管： 提供超低损耗，坚固耐用，开关平滑，优化电磁兼容性 (EMC)。双二极管集成： 单封装包含两个二极管，结构紧凑，提高功率密度。AlSiC 基板： 高功率循环能力，适应高频热循环需求。AIN 基底面： 热阻低，提供高效散热性能，提

5SLD 0650J450300日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB HiPak 二极管模块 – 5SLD 0650J450300电流（Ir）： 650 A电压（Vrrm）： 4500 V技术特点：SPT 二极管：* 提供超低损耗，坚固耐用，开关平滑，优化电磁兼容性 (EMC)。工业标准封装： 紧凑设计，支持高功率密度应用。AISiC 基板： 高功率循环能力，满足苛刻工况需求。AIN 基底面： 热阻低，散热性能优异，保障系统长期稳定运行。高可靠性

5SNG 0450X330300日立能源ABB IGBT模块

Hitachi Energy 日立能源（原瑞士ABB电网）认证全球代理商，官网可查，所有产品原装进口；ABB LinPak 相脚 IGBT 模块 – 5SNG 0450X330300电压（Vce）： 3300 V电流（Ic）： 2 x 450 A技术特点：超低电感设计： 相脚模块设计优化，降低寄生电感，提高开关性能和效率。紧凑高密度设计： 模块结构紧凑，电流密度高，适用于空间受限的高功率应用。并联运行无需降额： 支持多模块并联运行，确保高功率扩展性和稳定性。AISiC 基板：